電子級(jí)PI薄膜在半導(dǎo)體及微電子工業(yè)領(lǐng)域的應(yīng)用主要表現(xiàn)在以下幾方面：

（1）粒子遮擋膜：隨著集成電路密度和芯片尺寸的不斷增大，其抗輻射的性能也更顯重要。高純度的聚酰亞胺涂層膜是一種有效的耐輻射和抗粒子的遮擋材料。在元器件外殼的鈍化膜上涂覆50-100 單位的射線遮擋層可防止由微量鈾和牡等釋放的射線而造成的存儲(chǔ)器錯(cuò)誤。當(dāng)然，聚酰亞胺涂覆樹(shù)脂中含鈾物質(zhì)的含量也要很低，用于256kDRAM的樹(shù)脂要求鈾的含量低于0. 1ppb 。另外，聚酰亞胺優(yōu)良的機(jī)械性可防止芯片在后續(xù)的封裝過(guò)程中破裂。

（2）微電子器件的鈍化層和緩沖內(nèi)涂層

聚酰亞胺作為鈍化層和緩沖保護(hù)層在微電子工業(yè)上應(yīng)用非常廣泛。PI 涂層可有效地阻滯電子遷移、防止腐蝕。PI 層保護(hù)的元器件具有很低的漏電流，可增加器件的機(jī)械性能，防止化學(xué)腐蝕，也可有效地增加元器件的抗潮濕能力。PI 薄膜具有緩沖功能，可有效地降低由于熱應(yīng)力引起的電路崩裂斷路，減少元器件在后續(xù)的加工、封裝和后處理過(guò)程中的損傷。雖然聚酰亞胺涂層可有效避免塑封器件的崩裂，但效果與使用的聚酰亞胺材料的性能密切相關(guān)。一般地，具有良好粘接性能,玻璃化轉(zhuǎn)變溫度高于焊接溫度，低吸水率的聚酰亞胺是理想的防止器件崩裂的內(nèi)涂材料。

（3）多層金屬互聯(lián)電路的層間介電材料

聚酰亞胺材料（主要以PI膜為產(chǎn)品形式）可作為多層布線技術(shù)中多層金屬互聯(lián)結(jié)構(gòu)的層間介電材料。多層布線技術(shù)是研制生產(chǎn)具有三維立體交叉結(jié)構(gòu)超大規(guī)模高密度高速度集成電路的關(guān)鍵技術(shù)。在芯片上采用多層金屬互聯(lián)可以顯著縮小器件間的連線密度，減少RC 時(shí)間常數(shù)和芯片占用面積，大幅度提高集成電路的速度、集成度和可靠性。多層金屬互聯(lián)工藝與目前常用的鋁基金屬互聯(lián)和氧化物介質(zhì)絕緣工藝不同，它主要采用高性能聚酰亞胺薄膜材料為介電絕緣層，銅或鋁為互聯(lián)導(dǎo)線，利用銅的化學(xué)機(jī)械拋光。該技術(shù)的主要優(yōu)點(diǎn)在于利用了銅的高電導(dǎo)和抗電遷移性能、聚酰亞胺材料的低介電常數(shù)、平坦化性能以及良好的可制圖性能。


（4）光電印制電路板的重要基材

光具有帶寬高、密度高、沒(méi)有電磁干擾(EMI)等優(yōu)勢(shì)，因此正逐步用于系統(tǒng)內(nèi)互連代替電互連。芯片到芯片間的光互連技術(shù)是解決這些PCB 板上電互連瓶頸的一個(gè)非常有前途的方法。光電印制電路板（EOPCB），作為未來(lái)非常具有成長(zhǎng)潛力的PCB產(chǎn)品之一，將目前發(fā)展得非常成熟的印制電路板加上一層導(dǎo)光層，使得電路板的使用由現(xiàn)有的電連接技術(shù)延伸到光傳輸領(lǐng)域，而這層導(dǎo)光層材料比較理想的選擇就是采用含氟聚酰亞胺薄膜。聚酰亞胺的折射率大小可以通過(guò)調(diào)整共聚物的含氟量，含氟量愈高，含氟聚酰亞胺薄膜折射率愈小，從而調(diào)節(jié)折射率的大小，所以波導(dǎo)芯層和包層都可以采用聚酰亞胺。目前在歐美、日本等都已開(kāi)發(fā)出這類PI膜，有的已經(jīng)開(kāi)始小批量地運(yùn)用在光電印制電路板制造中。